深爱半导体

Power Bipolar Transistor

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Power Bipolar Transistor

Features：
Application：

IC(A) 25℃

0.18 0.3 0.4 0.8 1 1.2 1.5 2 2.5 3 3.5 4 5 7 8 10 12
BVCEO(min)

200 250 260 400 440 450 480 500
BVCEO(Typ)

250 280 300 450 480 500 520 530 540
BVCBO(Min)

400 500 600 700 800 850 1100
BVCBO(Typ)

500 680 750 780 800 820 840 850 900 950 1200
HFE

10-40 15-30 20-30 20-35 25-35 25-50 60-100
TS

1.0-2.0 1.0-3.0 1.2-1.7 1.4-2.4 1.5-2.5 1.5-3.0 1.7-2.7 1.8-2.6 2.0-3.0 2.0-3.5 2.0-4.0 2.0-4.2 2.0-6.0 2.5-3.5 2.5-4.5 3.0-5.0 3.0-7.0 3.5-4.5 4.0-7.0 4.0-9.0 5.0-7.0 5.2-6.5 6.0-8.0 1.2-2.7

Product Name	IC(A) 25℃	BVCEO(min)	BVCEO(Typ)	BVCBO(Min)	BVCBO(Typ)	HFE	TS
MJE13003D（TO-126&126S&220&220S）	3	400	450	600	750	10-40	2.0-3.0	/	/	/	Download
MJE13003BRH（TO-126&126S）	3	400	450	600	750	10-40	1.4-2.4	/	/	/	Download
MJE13003BR（TO-126&126S&251T&251S）	3	400	450	600	750	10-40	1.8-2.6	/	/	/	Download
BLD135DL（TO-82&82S&220&220S）	3	200	280	400	500	10-40	2.0-3.0	/	/	/	Download
BLD135D（TO-251T&251S&252）	3	400	450	600	750	10-40	2.0-3.0	/	/	/	Download
BLD135D（TO-126&126S&220&220S）	3	400	450	600	750	10-40	2.0-3.0	/	/	/	Download
BLD135D（SOT-82&82S）	3	400	450	600	750	10-40	2.0-3.0	/	/	/	Download
BLD125D（TO-126&126S&220&220S）	3	400	450	700	780	10-40	2.0-3.5	/	/	/	Download